Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/989
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorРомака, Любов Петрівна-
dc.contributor.authorРомака, Віталій Володимирович-
dc.contributor.authorСтадник, Юрій Володимирович-
dc.contributor.authorКрайовський, Володимир Ярославович-
dc.contributor.authorКачаровський, Д.-
dc.contributor.authorГоринь, Андрій Маркіянович-
dc.date.accessioned2019-12-02T09:45:37Z-
dc.date.available2019-12-02T09:45:37Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationРомака Л. П. Дослідження структурних, енергетичних та кінетичних характеристик напівпровідників RNiSb (R = Gd, Lu) / Л. П. Ромака, В. В. Ромака, Ю. В. Стадник, В. Я. Крайовський, Д. Качаровський, А. М. Горинь // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 2. - С. 37-42.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/989-
dc.description.abstractДосліджено особливості структурних, енергетичних та кінетичних характеристик напівпровідників р-GdNiSb та р-LuNiSb у діапазоні температур Т = 4,2 - 400 К. На прикладі р-LuNiSb показано механізм генерування структурних дефектів акцепторної природи як результат появи у позиції 4c атомів Ni (3d84s2) до 6 % вакансій та часткового, до 1,35 %, витіснення атомів Ni(4с) атомами Lu (5d16s2).uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectкристалічна та електронна структуриuk_UA
dc.subjectелектропровідністьuk_UA
dc.subjectкоефіцієнт термо-ерсuk_UA
dc.titleДослідження структурних, енергетичних та кінетичних характеристик напівпровідників RNiSb (R = Gd, Lu)uk_UA
dc.title.alternativeInvestigation of structural, energy state and kinetic characteristics of RNiSb semiconductor (R = Gd, Lu)uk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 17, № 1

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1098-2986-1-SM.pdf239.53 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.