1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2017
  6. Т 18, № 4
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/973
Назва: Технологія осадження відкритим випаровуванням у вакуумі фотоелектричних плівок CdTe
Інші назви: Vapor Phase Condensation for Photovoltaic CdTe Films
Автори: Яворський, Ростислав Святославович
Запухляк, Жанна Русланівна
Яворський, Ярослав Святославович
Никируй, Любомир Іванович
Ключові слова: телурид кадмію
тонкі плівки
наноструктури
процеси росту
Дата публікації: 2017
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Яворський Р. С. Технологія осадження відкритим випаровуванням у вакуумі фотоелектричних плівок CdTe / Р. С. Яворський, Ж. Р. Запухляк, Я. С. Яворський, Л. І. Никируй // Фізика і хімія твердого тіла. - 2017. - Т. 18. - № 4. - С. 410-416.
Короткий огляд (реферат): Методом осадження із парової фази, а саме шляхом відкритого випаровування у вакуумі отриманотонкі плівки CdTe, використовуючи різні технологічні фактори, зокрема, різну товщину (задається часом осадження t) d = (540 - 2835) нм, температуру осадження Td = 200°C та температуру випарника Te (500 -600)°C. Плівки осаджували на кремнієві підкладки. Морфологія тонкоплівкових конденсатів визначаєтьсяна основі аналізу ASM та SEM досліджень. Були отримані залежності середньої шорсткості тасередньоквадратичного відхилення від матеріалу підкладки та товщини плівки. Встановлено, що рістповерхневих наноструктур визначається механізмом Странкі-Крастанова.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/973
Розташовується у зібраннях:Т 18, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
2392-6745-1-PB.pdf3.8 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.