Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/973
Title: Технологія осадження відкритим випаровуванням у вакуумі фотоелектричних плівок CdTe
Other Titles: Vapor Phase Condensation for Photovoltaic CdTe Films
Authors: Яворський, Ростислав Святославович
Запухляк, Жанна Русланівна
Яворський, Ярослав Святославович
Никируй, Любомир Іванович
Keywords: телурид кадмію
тонкі плівки
наноструктури
процеси росту
Issue Date: 2017
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Яворський Р. С. Технологія осадження відкритим випаровуванням у вакуумі фотоелектричних плівок CdTe / Р. С. Яворський, Ж. Р. Запухляк, Я. С. Яворський, Л. І. Никируй // Фізика і хімія твердого тіла. - 2017. - Т. 18. - № 4. - С. 410-416.
Abstract: Методом осадження із парової фази, а саме шляхом відкритого випаровування у вакуумі отриманотонкі плівки CdTe, використовуючи різні технологічні фактори, зокрема, різну товщину (задається часом осадження t) d = (540 - 2835) нм, температуру осадження Td = 200°C та температуру випарника Te (500 -600)°C. Плівки осаджували на кремнієві підкладки. Морфологія тонкоплівкових конденсатів визначаєтьсяна основі аналізу ASM та SEM досліджень. Були отримані залежності середньої шорсткості тасередньоквадратичного відхилення від матеріалу підкладки та товщини плівки. Встановлено, що рістповерхневих наноструктур визначається механізмом Странкі-Крастанова.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/973
Appears in Collections:Т 18, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2392-6745-1-PB.pdf3.8 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.