DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/969| Title: | Особливості вимірювання потенціалів в субмікронних структурах ВІС з використанням електрооптичного ефекту в рідких кристалах |
| Other Titles: | Features Potential Measurements in Submicron High Integral Circuits Structures Using Electro-Optical Effect in Liquid Crystals |
| Authors: | Новосядлий, Степан Петрович Івасюк, Р. В. Котик, Михайло Васильович |
| Keywords: | рідкі кристали високоінтегральний контур автоматизована система проектування нематичні рідкі кристали |
| Issue Date: | 2017 |
| Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Citation: | Новосядлий С. П. Особливості вимірювання потенціалів в субмікронних структурах ВІС з використанням електрооптичного ефекту в рідких кристалах / С. П. Новосядлий, Р. В. Івасюк, М. В. Котик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2017. - Т. 18. - № 3. - С. 376-381. |
| Abstract: | Кількісні значення електричного потенціалу генерування елементів субмікронних структур ВІС в робочому режимі можуть бути експериментально визначені електрооптичним ефектом в нематичному рідкому кристалі. Цей метод стосується методів електронної діагностики структур ВІС, що використовують ТК, і відноситься до САПР системи ВІС. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/969 |
| Appears in Collections: | Т 18, № 3 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 2283-6479-1-PB.pdf | 1.24 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.