Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/951
Назва: Вплив ступеню компенсації на детектуючі властивості кристалів Cd0.9Zn0.1Te, легованих індієм
Інші назви: Effect of Compensation Degree on the Detecting Properties of In-doped Cd0.9Zn0.1Te crystals
Автори: Склярчук, Валерій Михайлович
Захарук, Зінаїда Іванівна
Колісник, М. Г.
Раренко, Г. І.
Склярчук, О. Ф.
Фочук, Петро Михайлович
Ключові слова: Cd0.9Zn0.1Te:In
омічний контакт
струми СОПЗ
ступінь компенсації
контакт Шотткі
Дата публікації: 2019
Бібліографічний опис: Склярчук В. М. Вплив ступеню компенсації на детектуючі властивості кристалів Cd0.9Zn0.1Te, легованих індієм / В. М. Склярчук, З. І. Захарук, М. Г. Колісник, Г. І. Раренко, О. Ф. Склярчук, П. М. Фочук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019.- Т. 20. № 3. - С. 257-263
Короткий огляд (реферат): Досліджено електричні характеристики кристалів Cd0.9Zn0.1Te, легованих індієм (CZT:In) з концентрацією Со=3,5×1017 см-3, в процесі росту, які застосовуються у детекторах X/γ-випромінювання. Кристали CZT:In володіли слабко вираженим n-типом провідності та мали питомий опір (1¸2)×109 Ом·см при 293 К. На їх основі створено структури з омічними контактами In/CZT:In/In та структури Cr/CZT:In/In з діодом Шотткі. Проаналізовано та пояснено температурні залежності питомого опору в досліджуваному матеріалі. Визначено енергетичне положення глибокого рівня, відповідального за темнову електропровідність матеріалу. Завдяки дослідженню температурної залежності струмів обмежених просторовим зарядом (СОПЗ) та струмів омічної ділянки вольт-амперної характеристики (ВАХ), визначено ступінь компенсації кристалів CZT:In. Встановлено, що кращими детектуючими властивостями володіли структури Cr/CZT:In/In з діодом Шотткі, виготовлені на кристалах з меншим ступенем компенсації, ніж аналогічні структури, виготовлені на кристалах з більшим ступенем компенсації.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/951
Розташовується у зібраннях:Т.20, №3

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
3888-11778-1-PB.pdf449.46 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.