Вплив ступеню компенсації на детектуючі властивості кристалів Cd0.9Zn0.1Te, легованих індієм

Abstract

Досліджено електричні характеристики кристалів Cd0.9Zn0.1Te, легованих індієм (CZT:In) з концентрацією Со=3,5×1017 см-3, в процесі росту, які застосовуються у детекторах X/γ-випромінювання. Кристали CZT:In володіли слабко вираженим n-типом провідності та мали питомий опір (1¸2)×109 Ом·см при 293 К. На їх основі створено структури з омічними контактами In/CZT:In/In та структури Cr/CZT:In/In з діодом Шотткі. Проаналізовано та пояснено температурні залежності питомого опору в досліджуваному матеріалі. Визначено енергетичне положення глибокого рівня, відповідального за темнову електропровідність матеріалу. Завдяки дослідженню температурної залежності струмів обмежених просторовим зарядом (СОПЗ) та струмів омічної ділянки вольт-амперної характеристики (ВАХ), визначено ступінь компенсації кристалів CZT:In. Встановлено, що кращими детектуючими властивостями володіли структури Cr/CZT:In/In з діодом Шотткі, виготовлені на кристалах з меншим ступенем компенсації, ніж аналогічні структури, виготовлені на кристалах з більшим ступенем компенсації.