Дослідження електронної структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xGax

Ромака, Любов Петрівна; Стадник, Юрій Володимирович; Ромака, Віталій Володимирович; Крайовський, Володимир Ярославович; Рогль, Петер-Франц; Горинь, Андрій Маркіянович

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/934

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Ромака, Любов Петрівна	-
dc.contributor.author	Стадник, Юрій Володимирович	-
dc.contributor.author	Ромака, Віталій Володимирович	-
dc.contributor.author	Крайовський, Володимир Ярославович	-
dc.contributor.author	Рогль, Петер-Франц	-
dc.contributor.author	Горинь, Андрій Маркіянович	-
dc.date.accessioned	2019-11-20T10:44:09Z	-
dc.date.available	2019-11-20T10:44:09Z	-
dc.date.issued	2017	-
dc.identifier.citation	Ромака Л. П. Дослідження електронної структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xGax / Л. П. Ромака, Ю. В. Стадник, В. В. Ромака, В. Я. Крайовський, П.-Ф. Рогль, А. М. Горинь // Фізика і хімія твердого тіла. - 2017. - Т. 18. - № 2. - С. 187-193.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/934	-
dc.description.abstract	Встановлена природа механізму генерування донорно-акцепторних пар у напівпровідниковому твердому розчині ZrNiSn1-xGax. Показано, що при зайнятті атомом Ga (4s24p1) позиції 4b атомів Sn (5s25p2) одночасно генеруються як структурні дефекти акцепторної природи, так і донорної (донорно-акцепторні пари) у вигляді вакансій у позиції 4b. Знайдено таке просторове розташування атомів в елементарній комірці rNiSn1-xGax, коли швидкість руху рівня Фермі εF, отримана з розрахунків розподілу густини електронних станів DOS, співпадає з експериментально встановленою з температурних залежностей питомого електроопору lnρ(1/T).	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"	uk_UA
dc.subject	кристалічна і електронна структури	uk_UA
dc.subject	електропровідність	uk_UA
dc.subject	коефіцієнт термо-ерс	uk_UA
dc.title	Дослідження електронної структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xGax	uk_UA
dc.title.alternative	Investigation of Band Structure of ZrNiSn1-xGax Semiconductor Solid Solution	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
Appears in Collections:	Т 18, № 2

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
2295-6522-1-PB.pdf		1.81 MB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record

DSpace JSPUI

DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets