DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/934| Назва: | Дослідження електронної структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xGax |
| Інші назви: | Investigation of Band Structure of ZrNiSn1-xGax Semiconductor Solid Solution |
| Автори: | Ромака, Любов Петрівна Стадник, Юрій Володимирович Ромака, Віталій Володимирович Крайовський, Володимир Ярославович Рогль, Петер-Франц Горинь, Андрій Маркіянович |
| Ключові слова: | кристалічна і електронна структури електропровідність коефіцієнт термо-ерс |
| Дата публікації: | 2017 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Ромака Л. П. Дослідження електронної структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xGax / Л. П. Ромака, Ю. В. Стадник, В. В. Ромака, В. Я. Крайовський, П.-Ф. Рогль, А. М. Горинь // Фізика і хімія твердого тіла. - 2017. - Т. 18. - № 2. - С. 187-193. |
| Короткий огляд (реферат): | Встановлена природа механізму генерування донорно-акцепторних пар у напівпровідниковому твердому розчині ZrNiSn1-xGax. Показано, що при зайнятті атомом Ga (4s24p1) позиції 4b атомів Sn (5s25p2) одночасно генеруються як структурні дефекти акцепторної природи, так і донорної (донорно-акцепторні пари) у вигляді вакансій у позиції 4b. Знайдено таке просторове розташування атомів в елементарній комірці rNiSn1-xGax, коли швидкість руху рівня Фермі εF, отримана з розрахунків розподілу густини електронних станів DOS, співпадає з експериментально встановленою з температурних залежностей питомого електроопору lnρ(1/T). |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/934 |
| Розташовується у зібраннях: | Т 18, № 2 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 2295-6522-1-PB.pdf | 1.81 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.