1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2017
  6. Т 18, № 2
Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/934
Title: Дослідження електронної структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xGax
Other Titles: Investigation of Band Structure of ZrNiSn1-xGax Semiconductor Solid Solution
Authors: Ромака, Любов Петрівна
Стадник, Юрій Володимирович
Ромака, Віталій Володимирович
Крайовський, Володимир Ярославович
Рогль, Петер-Франц
Горинь, Андрій Маркіянович
Keywords: кристалічна і електронна структури
електропровідність
коефіцієнт термо-ерс
Issue Date: 2017
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Ромака Л. П. Дослідження електронної структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xGax / Л. П. Ромака, Ю. В. Стадник, В. В. Ромака, В. Я. Крайовський, П.-Ф. Рогль, А. М. Горинь // Фізика і хімія твердого тіла. - 2017. - Т. 18. - № 2. - С. 187-193.
Abstract: Встановлена природа механізму генерування донорно-акцепторних пар у напівпровідниковому твердому розчині ZrNiSn1-xGax. Показано, що при зайнятті атомом Ga (4s24p1) позиції 4b атомів Sn (5s25p2) одночасно генеруються як структурні дефекти акцепторної природи, так і донорної (донорно-акцепторні пари) у вигляді вакансій у позиції 4b. Знайдено таке просторове розташування атомів в елементарній комірці rNiSn1-xGax, коли швидкість руху рівня Фермі εF, отримана з розрахунків розподілу густини електронних станів DOS, співпадає з експериментально встановленою з температурних залежностей питомого електроопору lnρ(1/T).
URI: http://hdl.handle.net/123456789/934
Appears in Collections:Т 18, № 2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2295-6522-1-PB.pdf1.81 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.