Епітаксіальні плівки SiGe з дислокаціями для пам’яті з можливістю перемикання: точні розрахунки з перших принципів

Abstract

Методами теорії функціоналу електронної густини і псевдопотенціалу із перших принципів отриманіхарактеристики електронної підсистеми робочого шару RRAM (Resistive Random Access Memory), щопобудований на основі епітаксіальних плівок Si0,9Ge0,1 з дислокаціями та впровадженими в них атомамисрібла. Розраховано просторові розподіли густини валентних електронів та їх перерізи в межах комірки,розподіл густини електронних станів, електричні заряди в околі остова атома кремнію при різних атомнихоточеннях. Досліджено, як зміни в електронній підсистемі досліджуваних об’єктів впливають на зміну їхвластивостей від непровідних до провідних.