Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/9208
Назва: SCAPS моделювання фотоелектричних гетеросистем на основі ZnO/CdS/CdTe/CuO
Інші назви: SCAPS modelling of ZnO/CdS/CdTe/CuO photovoltaic heterosystem
Автори: Запухляк, Жанна Русланівна
Никируй, Любомир Іванович
Віш, Г.
Рубіш, Василь Михайлович
Прокопів, Володимир Васильович
Галущак, Мар'ян Олексійович
Ліщинський, Ігор Мирославович
Катанова, Л. О.
Яворський, Ростислав Святославович
Ключові слова: фотоелектрика
сонячні елементи
гетероструктура ZnO/CdS/CdTe/CuO
тонкі плівки CdTe
Дата публікації: 2020
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Запухляк Ж. Р. SCAPS моделювання фотоелектричних гетеросистем на основі ZnO/CdS/CdTe/CuO / Ж. Р. Запухляк, Л. І. Никируй, Г. Віш, В. М. Рубіш, В. В. Прокопів, М. О. Галущак, І. М. Ліщинський, Л. О. Катанова, Р. С. Яворський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2020. - Т. 21. - № 4. - С. 660-668.
Короткий огляд (реферат): Автори розробили просту, дешеву та відтворювану технологію отримання тонкоплівкових гетероструктур на базі CdTe із заданою морфологією поверхні при осадженні вакуумними методами, що сприяє їх низькій вартості [1, 2]. Обгрунтували критичні розміри (товщини) окремих шарів гетероструктури, виконали симуляцію та дослідили широкий спектр оптичних властвиостей [3]. Показано, що для осадженої гетероструктури CdS/CdTe на склі можна отримати ККД 15,8%. Зважаючи, що тонкі плівки є відносно новими системами, їх дослідження може запропонувати значно ширші можливості для технологічного вдосконалення фотоелектричних перетворювачів енергії. Відповідно до аналізу сучасних літературних даних, підвищити ефективність можна, виконавши осадження на плівках ITO та ввівши наночастинки контрольованих розмірів.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/9208
Розташовується у зібраннях:Т. 21, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
4268-Текст статті-10248-1-10-20201230.pdf1.43 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.