Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/9208
Title: SCAPS моделювання фотоелектричних гетеросистем на основі ZnO/CdS/CdTe/CuO
Other Titles: SCAPS modelling of ZnO/CdS/CdTe/CuO photovoltaic heterosystem
Authors: Запухляк, Жанна Русланівна
Никируй, Любомир Іванович
Віш, Г.
Рубіш, Василь Михайлович
Прокопів, Володимир Васильович
Галущак, Мар'ян Олексійович
Ліщинський, Ігор Мирославович
Катанова, Л. О.
Яворський, Ростислав Святославович
Keywords: фотоелектрика
сонячні елементи
гетероструктура ZnO/CdS/CdTe/CuO
тонкі плівки CdTe
Issue Date: 2020
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Запухляк Ж. Р. SCAPS моделювання фотоелектричних гетеросистем на основі ZnO/CdS/CdTe/CuO / Ж. Р. Запухляк, Л. І. Никируй, Г. Віш, В. М. Рубіш, В. В. Прокопів, М. О. Галущак, І. М. Ліщинський, Л. О. Катанова, Р. С. Яворський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2020. - Т. 21. - № 4. - С. 660-668.
Abstract: Автори розробили просту, дешеву та відтворювану технологію отримання тонкоплівкових гетероструктур на базі CdTe із заданою морфологією поверхні при осадженні вакуумними методами, що сприяє їх низькій вартості [1, 2]. Обгрунтували критичні розміри (товщини) окремих шарів гетероструктури, виконали симуляцію та дослідили широкий спектр оптичних властвиостей [3]. Показано, що для осадженої гетероструктури CdS/CdTe на склі можна отримати ККД 15,8%. Зважаючи, що тонкі плівки є відносно новими системами, їх дослідження може запропонувати значно ширші можливості для технологічного вдосконалення фотоелектричних перетворювачів енергії. Відповідно до аналізу сучасних літературних даних, підвищити ефективність можна, виконавши осадження на плівках ITO та ввівши наночастинки контрольованих розмірів.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/9208
Appears in Collections:Т. 21, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
4268-Текст статті-10248-1-10-20201230.pdf1.43 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.