Ниткоподібні кристали Si-Ge для створення термоелектричних сенсорів

Abstract

У статті розглянуто термоелектричні властивості ниткоподібних кристалів Si1-xGex (x = 0,01-0,05), легованих бором під час їх росту методом ХТР. Температурні залежності опору та коефіцієнт Зеебека ниткоподібних кристалів вимірювали в діапазоні температур 275–550 К. Запропоновано метод визначення термоелектричних параметрів ниткоподібних кристалів із застосуванням зростків кристалів, що дозволяють визначити відношення коефіцієнта Зеебека до теплопровідності a/k. Враховуючи отримані значення коефіцієнта Зеебека, електропровідності ниткоподібних кристалів та розрахункові значення параметра теплопровідності, проведені оцінки параметра ZT, який становить 0,15 для T = 200oC. Отримане значення ZT співпадає з літературними даними для сучасних нанокомпозитів Si-Ge, отриманих методом гарячого пресування. На основі ниткоподібних кристалів Si-Ge був розроблений прецезійний сенсор вологості повітря.