DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/8025| Title: | Фізично-топологічне моделювання кремнієвого/арсенідгалієвого транзистора Шотткі субмікронної технології ВІС |
| Other Titles: | Physical-topology modeling of silicon/gallium arsenide Schottky transistor of submicron technology LSI |
| Authors: | Новосядлий, Степан Петрович Луковкін, Володимир Віталійович Мельник, Р. Павлишин, А. В. |
| Keywords: | електроніка ВІС Польові транзистори Шотткі моделювання GaAs |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Citation: | Новосядлий С. П. Фізично-топологічне моделювання кремнієвого/арсенідгалієвого транзистора Шотткі субмікронної технології ВІС / С. П. Новосядлий, В. М. Луковкін, Р. Мельник, А. В. Павлишин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2020. - Т. 21. - № 2. - С. 361-364. |
| Abstract: | В даній статті описані досліджені основи і фізичні механізми, арсенідгалієвих ПТШ на моно-Si-підкладках на бар’єрі Шотткі. Проведено комп’ютерне моделювання ПТШ з p-каналом: розподілів потенціалу, об’ємного заряду, струму в каналі та його характеристик. На основі проведеного моделювання відкрито новий ефект в ПТШ, а саме екранування об’ємного заряду, що суттєво впливає на струмовий розподіл в каналі. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/8025 |
| Appears in Collections: | Т. 21, № 2 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 3014-Текст статті-8213-1-10-20200701.pdf | 686.26 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.