DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/8015| Title: | Температурна залежність краю поглинання легованих кристалі арсеніду галію |
| Other Titles: | Temperature dependence of the optical absorption edge of doped gallium arsenide |
| Authors: | Чичура, Ігор Іванович Туряниця, І. І. Чичура, Іван Іванович |
| Keywords: | волоконно-оптичний датчик температури леговані цинком кристали GaAs оптичне пропускання легованих кристалів GaAs |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Citation: | Чичура Іг. Ів. Температурна залежність краю поглинання легованих кристалі арсеніду галію / Іг. Ів. Чичура, І. І. Туряниця, Ів. Ів. Чичура // Фізика і хімія твердого тіла. - 2020. - Т. 21. - № 2. - С. 288-293. |
| Abstract: | Температурна залежність фундаментального краю поглинання легованих цинком кристалів GaAs досліджувалася у діапазоні від 300 до 560 К. Температурна залежність краю фундаментального поглинання може бути представлена моделлю Бозе-Ейнштейна. Аналіз експериментальних даних дав нам можливість запропонувати функцію двох змінних (енергії фотонів та температури) для коефіцієнта поглинання у легованих кристалах у зоні краю поглинання. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/8015 |
| Appears in Collections: | Т. 21, № 2 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 3587-Текст статті-8198-1-10-20200701.pdf | 652.97 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.