DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/7523| Title: | Комп’ютерне моделювання арсенід галієвих супер бетатранзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС |
| Other Titles: | Computer Simulation of Gallium Arsenide Super Beta Transistors Heterostructures for High-Speed BIS |
| Authors: | Новосядлий, Степан Петрович Гузік, В. С. |
| Keywords: | гетероструктура арсенід галію кремній реактори електронно-циклотронного резонансу |
| Issue Date: | 2015 |
| Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Citation: | Новосядлий С. П. Комп’ютерне моделювання арсенід галієвих супер бетатранзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС / С. П. Новосядлий, В. С. Гузік // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 3. - С. 599-605. |
| Abstract: | Серед напівпровідників на широті використання в мікроелектроніці для створення цифрових мікросхем арсенід був і залишився основним матеріалом. Разом з тим почали інтенсивно впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми в силу високої рухливості носіїв заряду мають частотний діапазон функціонування недосягаючий для мікросхем на основі кремнію (Si). |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/7523 |
| Appears in Collections: | Т. 16, № 3 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 803-2459-1-SM.pdf | 923.94 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.