Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/7353
Назва: Вплив точкового дефекту вуглецевої нанотрубки типу (8,0) на розподіл молекулярного електростатичного потенціалу в околі її порту
Інші назви: Effect of Point Defect in Carbon Nanotube (8.0) on the Molecular Electrostatic Potential distribution Near it Edge
Автори: Дацюк, Андрій Михайлович
Ключові слова: вуглецеві нанотрубки
молекулярний електростатичний потенціал
точковий дефект
квантовохімічні розрахунки
Дата публікації: 2015
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Дацюк А. М. Вплив точкового дефекту вуглецевої нанотрубки типу (8,0) на розподіл молекулярного електростатичного потенціалу в околі її порту / А. М. Дацюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 3. - С. 515-519.
Короткий огляд (реферат): В роботі проаналізовано вплив точкового дефекту на електронну та просторову будову модельної вуглецевої нанотрубки (8,0) в залежності від розміщення вакансії в структурі нанотрубки. На основі проведених квантовохімічних розрахунків, використовуючи напівемпіричні та неемпіричні підходи, побудовано карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в площині, перпендикулярній головній осі нанотрубки. Показано, що дефекти типу «вакансія», які розміщуються за межами першого гексагонального вуглецевого пояса практично не впливають на топологію розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в околі входу в вуглецеву нанотрубку, натомість хімічну активність портових атомів такої нанотрубки можуть визначати точкові дефекти вакансійного типу, що розміщуються в першому гексагональному поясі
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/7353
Розташовується у зібраннях:Т. 16, № 3

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
788-2433-1-SM.pdf302.28 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.