DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/7302| Назва: | Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами |
| Інші назви: | Formation CMOS Schemes on GaAs with Self-Aligned Nitride and Silicide Gates |
| Автори: | Новосядлий, Степан Петрович Терлецький, Андрій Іванович Фрик, Оксана Богданівна |
| Ключові слова: | арсенід галію польові транзистори Шотткі нітрид вольфраму силіцид вольфраму |
| Дата публікації: | 2015 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Новосядлий С. П. Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами / С. П. Новосядлий, А. І. Терлецький, О. Б. Фрик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 2. - С. 420-424. |
| Короткий огляд (реферат): | Розглянуто особливості технологічних процесів формування n- та p-канальних польових транзисторів Шотткі на р-GaAs із самосуміщеним затвором на основі нітриду або силіциду вольфраму, які можуть бути використані для створення швидкодіючих комплементарних логічних схем. Описано низькотемпературну технологію реактивного осадження нітриду вольфраму методом ВЧ-магнетронного розпилення вольфрамової мішені в азотно-аргоновій плазмі. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/7302 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 16, № 2 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 773-2403-1-SM.pdf | 621.48 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.