DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/7302| Title: | Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами |
| Other Titles: | Formation CMOS Schemes on GaAs with Self-Aligned Nitride and Silicide Gates |
| Authors: | Новосядлий, Степан Петрович Терлецький, Андрій Іванович Фрик, Оксана Богданівна |
| Keywords: | арсенід галію польові транзистори Шотткі нітрид вольфраму силіцид вольфраму |
| Issue Date: | 2015 |
| Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Citation: | Новосядлий С. П. Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами / С. П. Новосядлий, А. І. Терлецький, О. Б. Фрик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 2. - С. 420-424. |
| Abstract: | Розглянуто особливості технологічних процесів формування n- та p-канальних польових транзисторів Шотткі на р-GaAs із самосуміщеним затвором на основі нітриду або силіциду вольфраму, які можуть бути використані для створення швидкодіючих комплементарних логічних схем. Описано низькотемпературну технологію реактивного осадження нітриду вольфраму методом ВЧ-магнетронного розпилення вольфрамової мішені в азотно-аргоновій плазмі. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/7302 |
| Appears in Collections: | Т. 16, № 2 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 773-2403-1-SM.pdf | 621.48 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.