Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/7242
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorТерлецький, Андрій Іванович-
dc.contributor.authorУрсакі, Вячеслав-
dc.contributor.authorТігіняну, Іван Михайлович-
dc.contributor.authorІкізлі, Вікторія-
dc.contributor.authorПишна, Наталія Борисівна-
dc.contributor.authorРадауцан, Сергій Іванович-
dc.date.accessioned2020-05-17T13:17:06Z-
dc.date.available2020-05-17T13:17:06Z-
dc.date.issued1996-
dc.identifier.citationUrsaki V. V. Zn+/P+ and Zn+/As+ co-implantation in InP single crystals / V. V. Ursaki, I. M. Tiginyanu, V. M. Ichizli, A. I. Terletsky, N. B. Pyshnaya, S. I. Radautsan // Proceeding 19th Edition of Annual Semiconductor Conf. October 12-17, Sinaia, Romania. – 1996. – pp. 401-404.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/7242-
dc.language.isoen_USuk_UA
dc.publisherМатеріали 19-ї щорічної конференції з напівпровідників, 12-17 жовтня 1996 р, Сіная, Румуніяuk_UA
dc.subjectподвійна імплантаціяuk_UA
dc.subjectфосфід індіюuk_UA
dc.subjectактивація домішкиuk_UA
dc.subjectінверсія типу провідностіuk_UA
dc.titleZn+/P+ та Zn+/As+ коімплантація в монокристалах InPuk_UA
dc.title.alternativeZn+/P+ and Zn+/As+ co-implantation in InP single crystalsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
CAS-96.pdf394.34 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.