Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/7241
Назва: Вплив коімплантації іонів P+ на електричні параметри монокристалів GaAs, імплантованих іонами Zn+
Інші назви: Influence of P+ -coimplantation on electrical parameters of Zn+-implanted GaAs single crystals
Автори: Терлецький, Андрій Іванович
Урсакі, Вячеслав
Ікізлі, Вікторія
Тігіняну, Іван Михайлович
Ключові слова: подвійна імплентація
арсенід галію
електричні параметри
концентраційні профілі
Дата публікації: 1996
Видавництво: Известия Академии наук Республики Молдова, серия Физика и техника
Бібліографічний опис: Ursaki V. V. Influence of P+ -coimplantation on electrical parameters of Zn+-implanted GaAs single crystals / V. V. Ursaki, V. M. Ichizli, A. I. Terletsky, I. M. Tiginyanu // Известия АН РМ, сер. Физика и техника. – 1996. – 3(21). – с. 10-12.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/7241
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
BASRM_3_1996.pdf206.3 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.