Спосіб формування надпровідної металізації в субмікронних арсенідгалієвих структурах

Abstract

Спосіб формування надпровідної металізації в субмікронних арсенідгалієвих структурах ВІС (великих інтегральних схем), який місить формування структур ВІС на польових транзисторах Шотткі і епітаксію GaAs на Si-підкладках, імплантацію іонів кремнію для стік-витокових областей та металізацію затвора і провідників магнетронним розпиленням мішеней із сплавів ніобію або ванадію, який відрізняється тим, що як сплави ніобію або ванадію використовують кріосплави Nb-Si-Ho-1-1 або V-Ge-Ho-1-1, сплав ніобію і ванадію формують зонною плавкою, а ретроградні стік-витокові області польових транзисторів Шотткі - багатозарядною іонною імплантацією кремнію на глибину 0,35 мкм при енергії Е = 80±10 еВ і дозі Д = (1±0,2)•1015 см-2.