Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/7130
Назва: Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb.II. Особливості кристалічної та електронної структур
Інші назви: Investigation of V1-xTixFeSb Semiconductor Solid Solution. II. Peculiarities of Crystal and Electronic Structure
Автори: Ромака, Віталій Володимирович
Рогль, Петер-Франц
Ромака, Любов Петрівна
Стадник, Юрій Володимирович
Корж, Роман Орестович
Крайовський, Володимир Ярославович
Ковбасюк, Тарас Михайлович
Цигилик, Н. В.
Ключові слова: напівпровідник
електропровідність
електронна структура
Дата публікації: 2015
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Ромака В. В. Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb.II. Особливості кристалічної та електронної структур / В. В. Ромака, П. Рогль, Л. П. Ромака, Ю. В. Стадник, Р. О. Корж, В. Я. Крайовський, Т. М. Ковбасюк, Н. В. Цигилик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 2. - С. 335-340.
Короткий огляд (реферат): Досліджено особливості кристалічної та електронної структур напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb, х = 0 – 0,20. Описано механізм генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Зокрема, встановлена природа донорів у n-VFeSb («апріорне легування») як результат наявності вакансій у позиції атомів Sb (4b). Отриманий результат лежить в основі технології отримання нових термоелектричних матеріалів на основі n-VFeSbз максимальною ефективністю перетворення теплової енергії в електричну.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/7130
Розташовується у зібраннях:Т. 16, № 2

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
756-2373-1-SM.pdf656.25 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.