1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2015
  6. Т. 16, № 2
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/7127
Назва: Остівні одноелектронні стани адсорбційних комплексів Ge на поверхні Si(001)(4´2)
Інші назви: Core-Level States of Single-Electron Adsorption Complexes Ge on Si (001) (4´2)
Автори: Ткачук, Ольга Іванівна
Теребінська, Марія Іванівна
Лобанов, Віктор Васильович
Ключові слова: поверхня кремнію
адсорбція германію
метод теорії функціонала густини
кластерний підхід
Дата публікації: 2015
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Ткачук О. І. Остівні одноелектронні стани адсорбційних комплексів Ge на поверхні Si(001)(4´2) / О. І. Ткачук, М. І. Теребінська, В. В. Лобанов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 2. - С. 316-321.
Короткий огляд (реферат): Розрахунки (ТФГ, B3LYP, 6-31 G**) хімічних зсувів компоненти 5 2 3d остівного рівня 3d атомів германію, які входять в поверхневий шар кластера Si96H84•Ge2, що моделює молекулярний адсорбційний комплекс германію на реконструйованій грані Si(001)(4´2), показали що величина їх зсуву залежить від взаємного розташування атомів Ge. При впровадженні одного атома германію в кристалічну підкладку цей зсув позитивний, а впровадження двох атомів приводить до негативного хімічного зсуву. Дано трактування отриманих результатів, виходячи з розподілу заряду в кластерах, в так званому електростатичному наближенні.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/7127
Розташовується у зібраннях:Т. 16, № 2

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
753-2367-1-SM.pdf455.07 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.