Крайове поглинання тонких плівок b–Ga2O3

Abstract

Методом оптичної спектроскопії досліджено область фундаментального поглинання тонких плівок b–Ga2O3, отриманих методом високочастотного іонно-плазмового розпилення. Встановлено, що оптична ширина забороненої зони Eg зростає від 4.60 еВ для плівок, відпалених в кисні до 4.65 еВ для плівок, відпалених у аргоні і до 5.20 еВ після відновлення відпалених плівок у атмосфері водню. Оцінено зведену ефективну масу вільних носіїв заряду у плівках b–Ga2O3 після відпалу плівок та після відновлення у водні. Встановлено, що концентрація носіїв заряду після відпалу в аргоні становить 7.30´1017 см–3 , та після відновлення у водні –2.62´1019 см–3 , що характерне для вироджених напівпровідників. Показано, що зсув краю фундаментального поглинання в тонких плівках b–Ga2O3 після відпалу в аргоні та після відновлення у водні зумовлений ефектом Бурштейна-Мосса