Образование глубоких уровней в р-InP при электронном облучении

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/7041

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Терлецький, Андрій Іванович	-
dc.contributor.author	Радауцан, Сергій Іванович	-
dc.contributor.author	Урсакі, Вячеслав	-
dc.date.accessioned	2020-05-10T16:24:53Z	-
dc.date.available	2020-05-10T16:24:53Z	-
dc.date.issued	1992	-
dc.identifier.citation	Радауцан С. И. Образование глубоких уровней в р-InP при электронном облучении / С. И. Радауцан, В. В. Урсаки, А. И. Терлецкий // Известия АН РМ, сер. Физика и техника. – 1992. – 1(7), – с. 85-87.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/7041	-
dc.language.iso	ru_RU	uk_UA
dc.publisher	Известия Академии наук Республики Молдова, серия Физика и техника	uk_UA
dc.subject	Фосфід індію	uk_UA
dc.subject	глибокі рівні	uk_UA
dc.subject	радіаційні дефекти	uk_UA
dc.subject	DLTS	uk_UA
dc.title	Образование глубоких уровней в р-InP при электронном облучении	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
Appears in Collections:	Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
BASRM_1_1992.pdf		424.41 kB	Adobe PDF	View/Open

DSpace JSPUI