Scattering mechanisms of electrons in monocrystalline PbTe, PbSe and PbS

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/7036

Назва:	Scattering mechanisms of electrons in monocrystalline PbTe, PbSe and PbS
Автори:	Freik, D. Nykyruy, L. Shperun, V. Никируй, Любомир Іванович
Ключові слова:	Vacancy Acoustic phonons Optical phonons Lead Chalkogenides Scattering Interaction
Дата публікації:	17-гру-2002
Видавництво:	Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics
Бібліографічний опис:	Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, 2002, V. 5, No 4, P. 362-367
Короткий огляд (реферат):	The theoretical analysis of carrier scattering mechanisms in electronic lead chalcogenide crystals was carried out. The calculation of carrier mobility in wide temperature (4.2-300K) and concentration (10 16 -10 20 cm -3) ranges is carried out from the viewpoint of the interaction of conductivity electrons with deformation potentials of acoustic and optical phonons, the polarizing potential of optical phonons, screening Coulombic and short-range potentials of vacancies. It has been shown that the agreement of theoretical and experimental results takes place when taking into account the carrier scattering both on phonons and ionized vacancies.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу):	http://hdl.handle.net/123456789/7036
Розташовується у зібраннях:	Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:

Файл	Опис	Розмір	Формат
5_4_362.pdf		169.57 kB	Adobe PDF	Переглянути/Відкрити

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

DSpace JSPUI