Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/6909
Назва: Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb. I. Особливості електрокінетичних характеристик
Інші назви: Investigation of V1-xTixFeSb Semiconductor Solid Solution. I. Peculiarities of Electrokinetic Characteristics
Автори: Ромака, Володимир Афанасійович
Рогль, Петер-Франц
Стадник, Юрій Володимирович
Ромака, Любов Петрівна
Корж, Роман Орестович
Качаровський, Д.
Крайовський, Володимир Ярославович
Горинь, Андрій Маркіянович
Ключові слова: напівпровідник
електропровідність
електронна структура.
Дата публікації: 2015
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Ромака В. А. Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb. I. Особливості електрокінетичних характеристик / В. А. Ромака, П. Рогль, Ю. В. Стадник, Л. П. Ромака, Р. О. Корж, Д. Качаровський, В. Я. Крайовський, А. М. Горинь // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 1. - С. 111-115.
Короткий огляд (реферат): Досліджено особливості температурних та концентраційних характеристик питомого електроопору та коефіцієнта термо-ерс напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb у діапазонах температур та концентрацій: Т = 4,2 – 400 К та Ті Ti NA ≈ 9.5·1019 –3,6·1021 см-3 (х = 0,005–0,20). Встановлено існування невідомого раніше механізму генерування структурних дефектів донорної природи, які визначають провідність n-VFeSb та V1-xTixFeSb. Підтверджено акцепторну природу структурних дефектів, генерованих у V1-xTixFeSb, при заміщенні V атомами Ті
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/6909
Розташовується у зібраннях:Т. 16, № 1

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
721-2305-1-SM.pdf213.79 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.