Теорія динамічної провідності трибар’єрної резонанснотунельної структури з двофотонними лазерними переходами

Abstract

У наближенні ефективних мас та прямокутних потенціальних ям і бар’єрів для електрона, з використанням знайдених розв’язків повного рівняння Шредінгера, розвинена теорія активної динамічної провідності трибар’єрної резонансно-тунельної структури (InGaAs/InAlAs) з різними глибинами потенціальних ям у слабкому електромагнітному полі в одно- та двофотонному наближенні. Показано, що зміною концентрації Ga можна отримати такі геометричні конфігурації наноструктури, як активної зони квантового каскадного лазера, в яких на основі електронних квантових переходів з випромінюванням двох фотонів однакової енергії відбувається зростання інтенсивності лазерного випромінювання. Встановлено, що вклад двофотонних переходів у сумарну величину динамічної провідності складає не менше ніж 37 %.