DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/6233Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Прокопів, Володимир Васильович | - |
| dc.contributor.author | Горічок, Ігор Володимирович | - |
| dc.contributor.author | Юрчишин, Любов Дмитрівна | - |
| dc.date.accessioned | 2020-04-27T08:11:02Z | - |
| dc.date.available | 2020-04-27T08:11:02Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.citation | ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА Т. 11, № 4 (2010) С. 849-852 | uk_UA |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/6233 | - |
| dc.description.abstract | На основі термодинамічних підходів розраховано ентальпії утворення моновакансій металу та халькогену у кристалах А 3В 5 та А 4В 6 . Встановлено, що деформації в околі нейтральних вакансій не є значними і суттєво не впливають на значення енергій утворення цих дефектів. Розраховані значення енергій утворення вакансій узгоджуються з літературними даними, і можуть бути використані для оцінки концентрацій цих дефектів у напівпровідниках. | uk_UA |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.relation.ispartofseries | ;Т. 11, № 4 (2010) С. 849-852 | - |
| dc.subject | бінарні напівпровідники, точкові дефекти, енергія утворення вакансій | uk_UA |
| dc.title | Енергії утворення моновакансій у кристалах А 3В 5 та А 4В 6 | uk_UA |
| dc.title.alternative | Стаття | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1104-06.pdf | 124.72 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.