DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/607| Назва: | Термопольова стабілізація порогової напруги польових транзисторів субмікронної технології ВІС |
| Інші назви: | Thermal Field Stabilization of the Threshold Voltage of the Field Transistors of the Submicron Technology of the LSI |
| Автори: | Новосядлий, Степан Петрович Грига, Володимир Михайлович Куриш, І. І. Мельник, М. І. |
| Ключові слова: | транзистори субмікронна технологія стабілізація |
| Дата публікації: | 2018 |
| Бібліографічний опис: | Новосядлий С. П. Термопольова стабілізація порогової напруги польових транзисторів субмікронної технології ВІС / С. П. Новосядлий, В. М. Грига, І. І. Куриш, М. І. Мельник // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 4. - С. 352-357. |
| Короткий огляд (реферат): | На основі аналізу об’ємної відповідності фаз в діючій затворній системі Si-SiO2 показана можливість отримання від’ємного заряду в затворній системі субмікронних ВІС. Такий технологічний метод експериментально провірений при низькотемпературному оксидуванні кремнію, на що отримано патент на винахід. Дослідженнями встановлено, що на величину заряду на міжфазній межі можна суттєво впливати шляхом введення в окислювальну атмосферу галогеномістних сполук. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/607 |
| Розташовується у зібраннях: | Т.19 №4 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 3381-10042-1-PB.pdf | 556.23 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.