DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/607| Title: | Термопольова стабілізація порогової напруги польових транзисторів субмікронної технології ВІС |
| Other Titles: | Thermal Field Stabilization of the Threshold Voltage of the Field Transistors of the Submicron Technology of the LSI |
| Authors: | Новосядлий, Степан Петрович Грига, Володимир Михайлович Куриш, І. І. Мельник, М. І. |
| Keywords: | транзистори субмікронна технологія стабілізація |
| Issue Date: | 2018 |
| Citation: | Новосядлий С. П. Термопольова стабілізація порогової напруги польових транзисторів субмікронної технології ВІС / С. П. Новосядлий, В. М. Грига, І. І. Куриш, М. І. Мельник // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 4. - С. 352-357. |
| Abstract: | На основі аналізу об’ємної відповідності фаз в діючій затворній системі Si-SiO2 показана можливість отримання від’ємного заряду в затворній системі субмікронних ВІС. Такий технологічний метод експериментально провірений при низькотемпературному оксидуванні кремнію, на що отримано патент на винахід. Дослідженнями встановлено, що на величину заряду на міжфазній межі можна суттєво впливати шляхом введення в окислювальну атмосферу галогеномістних сполук. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/607 |
| Appears in Collections: | Т.19 №4 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 3381-10042-1-PB.pdf | 556.23 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.