Множина важливих кінетичних властивостей кристалів та їх залежність від механізмів розсіювання носіїв зарядів

Abstract

В нерівноважній термодинаміці відомі узагальнені рівняння електропровідності та теплопровідності. Вони описують відгук провідного середовища на дію дрейфових полів в ньому та магнітного поля. В ці рівняння входять феноменологічні тензори та коефіцієнти, які визначають всю множну важливих кінетичних властивостей провідних кристалів. Отже, для вияснення природи властивостей кристала необхідно вияснити природу множини кінетичних тензорів і коефіцієнтів, які входять в узагальнені рівняння електропровідності та теплопровідності. В даній роботі вся множина цих важливих величин для ізотропних кристалів методами статистичної фізики розраховуються при загальних умовах спостереження.