DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/579| Назва: | Молекулярно-динамічне моделювання коефіцієнта теплопровідності кремній/германієвих нанониток |
| Інші назви: | Molecular Dynamics Modeling of Thermal Conductivity of Silicon/Germanium Nanowires |
| Автори: | Кішкар, А. С. Курилюк, Василь Васильович |
| Ключові слова: | коефіцієнт теплопровідності нанонитка кремній молекулярна динаміка |
| Дата публікації: | 2018 |
| Бібліографічний опис: | Кішкар А. С. Молекулярно-динамічне моделювання коефіцієнта теплопровідності кремній/германієвих нанониток / А. С. Кішкар, В. В. Курилюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 3. - С. 222-225. |
| Короткий огляд (реферат): | З використанням методу нерівноважної молекулярної динаміки розраховано коефіцієнт теплопровідності кремній/германієвих нанониток різної геометрії і компонентного складу. Показано, що при зростанні вмісту германію x, теплопровідність нанониток Si1-xGex зменшується, досягає мінімуму при x=0.4 і поступово починає зростати. Виявлено, що в порожнистих Si нанонитках коефіцієнт теплопровідності монотонно зменшується при зростанні радіусу порожнини. Розраховано фононні спектри та проаналізовано механізми фононного розсіювання в досліджуваних нанонитках. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/579 |
| Розташовується у зібраннях: | Т.19 №3 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 3045-9697-1-PB.pdf | 1.39 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.