Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/579
Title: | Молекулярно-динамічне моделювання коефіцієнта теплопровідності кремній/германієвих нанониток |
Other Titles: | Molecular Dynamics Modeling of Thermal Conductivity of Silicon/Germanium Nanowires |
Authors: | Кішкар, А. С. Курилюк, Василь Васильович |
Keywords: | коефіцієнт теплопровідності нанонитка кремній молекулярна динаміка |
Issue Date: | 2018 |
Citation: | Кішкар А. С. Молекулярно-динамічне моделювання коефіцієнта теплопровідності кремній/германієвих нанониток / А. С. Кішкар, В. В. Курилюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 3. - С. 222-225. |
Abstract: | З використанням методу нерівноважної молекулярної динаміки розраховано коефіцієнт теплопровідності кремній/германієвих нанониток різної геометрії і компонентного складу. Показано, що при зростанні вмісту германію x, теплопровідність нанониток Si1-xGex зменшується, досягає мінімуму при x=0.4 і поступово починає зростати. Виявлено, що в порожнистих Si нанонитках коефіцієнт теплопровідності монотонно зменшується при зростанні радіусу порожнини. Розраховано фононні спектри та проаналізовано механізми фононного розсіювання в досліджуваних нанонитках. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/579 |
Appears in Collections: | Т.19 №3 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
3045-9697-1-PB.pdf | 1.39 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.