Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/566
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГайдар, Галина Петрівна-
dc.date.accessioned2019-10-02T08:52:22Z-
dc.date.available2019-10-02T08:52:22Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationГайдар Г. П. Вплив термовідпалів і способів охолодження на електрофізичні параметри n-Si, легованого домішкою фосфору через розплав і методом ядерної трансмутації / Г. П. Гайдар // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 1. - С. 40-47.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/566-
dc.description.abstractУ роботі досліджено вплив різних режимів термообробки на кінетику електронних процесів у кристалах кремнію, легованих домішкою фосфору через розплав та методом ядерної трансмутації. Встановлено найбільш значний вплив охолодження при проміжному значенні швидкості охолодження (uохол=15 оС/хв) після високотемпературного відпалу на основні електрофізичні параметри трансмутаційно легованих кристалів n‑Si(P). Виявлено і пояснено особливості змін параметрів анізотропії рухливості і термоерс, виміряних на кристалах кремнію різних способів легування, як у вихідному стані, так і після високотемпературного відпалу при використанні різних швидкостей охолодження.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.subjectелектрофізичні параметриuk_UA
dc.subjectn-кремнійuk_UA
dc.subjectспособи легуванняuk_UA
dc.subjectпараметри анізотропіїuk_UA
dc.subjectтермічний відпалuk_UA
dc.subjectшвидкість охолодженняuk_UA
dc.titleВплив термовідпалів і способів охолодження на електрофізичні параметри n-Si, легованого домішкою фосфору через розплав і методом ядерної трансмутаціїuk_UA
dc.title.alternativeEffect of Thermal Annealings and Cooling Methods on Electrophysical Parameters of n-Si, Doped with Phosphorus Impurity via the Melt and by Nuclear Transmutation Techniqueuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т.19 №1

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2343-8365-1-PB.pdf179.43 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.