Дослідження електрокінетичних та магнітних властивостей напівпровідникового твердого розчину ZrNi1-xRhxSn

Abstract

Досліджено особливості кінетичних, енергетичних та магнітних характеристик напівпровідникового твердого розчину ZrNi1-xRhxSn у діапазонах: Т = 80 - 400 К, х = 0 – 0,10. Показано, що уведення атомів Rh (4d85s1) у структуру сполуки ZrNiSn шляхом заміщення атомів Ni (3d84s2) генерує у кристалі структурні дефекти акцепторної природи, а основними носіями струму ZrNi1-xRhxSn за низьких температур стають дірки. На основі аналізу швидкості руху рівня Фермі ΔεF/Δх ZrNi1-xRhxSn у напрямі валентної зони та зміни знаку коефіцієнта термо-ерс з додатного на від’ємний за високих температур висунуто припущення про одночасне з акцепторами генерування структурних дефектів донорної природи (донорно-акцепторні пари), які породжують глибоку донорну зону ɛD2.