Розсіювання носіїв заряду в тонких плівках PbTe:Bi

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/545

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Дзумедзей, Роман Олексійович	-
dc.date.accessioned	2019-09-24T09:42:53Z	-
dc.date.available	2019-09-24T09:42:53Z	-
dc.date.issued	2019	-
dc.identifier.citation	Дзумедзей Р. О. Розсіювання носіїв заряду в тонких плівках PbTe:Bi / Р. О. Дзумедзей // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - № 2. - С. 171-174.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/545	-
dc.description.abstract	Проведено розрахунки механізмів розсіювання носіїв заряду в тонких плівках PbTe:Bi із 1 ат.% вісмуту. Визначено домінуючі механізми розсіювання в досліджуваних зразках. Розглянуто товщинні залежності співвідношення msurf/mbulk.	uk_UA
dc.language.iso	uk_UA	uk_UA
dc.subject	плюмбум телурид	uk_UA
dc.subject	легування	uk_UA
dc.subject	розсіювання носіїв заряду	uk_UA
dc.subject	рухливість	uk_UA
dc.title	Розсіювання носіїв заряду в тонких плівках PbTe:Bi	uk_UA
dc.title.alternative	Scattering of Charge Carriers in Thin Films PbTe:Bi	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
Appears in Collections:	Т.20, №2

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
3868-11488-1-PB.pdf		569.11 kB	Adobe PDF	View/Open

DSpace JSPUI