Радіаційні точкові дефекти в епітаксійних плівках SnTe

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/5421

Повний запис метаданих

Поле DC	Значення	Мова
dc.contributor.author	Салій, Ярослав Петрович	-
dc.contributor.author	Остафійчук, Богдан Костянтинович	-
dc.contributor.author	Чобанюк, Володимир Михайлович	-
dc.date.accessioned	2020-04-15T18:40:11Z	-
dc.date.available	2020-04-15T18:40:11Z	-
dc.date.issued	1999-12-12	-
dc.identifier.citation	стаття	uk_UA
dc.identifier.issn	1729-4428	-
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/5421	-
dc.description	Стаття спільна з аспірантами	uk_UA
dc.description.abstract	Dependence of lattice parameter and holes concentration in epitaxial layers p-SnTe on integral α-particles flux are investigated. Comparing rated and experimental data the conclusion on acceptor character of tin vacancies vjn and tellurium vacancies 2− Te V have been made.	uk_UA
dc.description.sponsorship	Прикарпатський університет	uk_UA
dc.language.iso	en_US	uk_UA
dc.publisher	ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА Т.1, №1 (2000) С. 71-76	uk_UA
dc.subject	lattice parameter, holes concentration	uk_UA
dc.title	Радіаційні точкові дефекти в епітаксійних плівках SnTe	uk_UA
dc.title.alternative	Radiation-induced point defect in epitaxial layers of SnTe	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
Розташовується у зібраннях:	Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:

Файл	Опис	Розмір	Формат
Radiation Os Sa Ch Ma Py.pdf		214.53 kB	Adobe PDF	Переглянути/Відкрити

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

DSpace JSPUI