Радіаційні точкові дефекти в епітаксійних плівках SnTe

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/5421

Title:	Радіаційні точкові дефекти в епітаксійних плівках SnTe
Other Titles:	Radiation-induced point defect in epitaxial layers of SnTe
Authors:	Салій, Ярослав Петрович Остафійчук, Богдан Костянтинович Чобанюк, Володимир Михайлович
Keywords:	lattice parameter, holes concentration
Issue Date:	12-Dec-1999
Publisher:	ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА Т.1, №1 (2000) С. 71-76
Citation:	стаття
Abstract:	Dependence of lattice parameter and holes concentration in epitaxial layers p-SnTe on integral α-particles flux are investigated. Comparing rated and experimental data the conclusion on acceptor character of tin vacancies vjn and tellurium vacancies 2− Te V have been made.
Description:	Стаття спільна з аспірантами
URI:	http://hdl.handle.net/123456789/5421
ISSN:	1729-4428
Appears in Collections:	Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Radiation Os Sa Ch Ma Py.pdf		214.53 kB	Adobe PDF	View/Open

DSpace JSPUI