Електрофізичні властивості кристалів Cd1-xMnxTe (х < 0,1), легованих германієм

Солодін, Сергій Володимирович; Никонюк, Євген Сергійович; Раренко, Г. І.; Фочук, Петро Михайлович

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/541

Title:	Електрофізичні властивості кристалів Cd1-xMnxTe (х < 0,1), легованих германієм
Other Titles:	Electro-Physical Properties of Ge-doped Cd1-xMnxTe (x < 0.1) Crystals
Authors:	Солодін, Сергій Володимирович Никонюк, Євген Сергійович Раренко, Г. І. Фочук, Петро Михайлович
Keywords:	Cd1-xMnxTe тверді розчини електричні властивості ефект Холла
Issue Date:	2019
Citation:	Солодін С. В. Електрофізичні властивості кристалів Cd1-xMnxTe (х < 0,1), легованих германієм / С. В. Солодін, Є. С.Никонюк, Г. І. Раренко, П. М. Фочук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - №2. - С. 144-148.
Abstract:	Методом Бріджмена вирощено кристали Cd1-xMnxTe (х=0,02; 0,04; 0,08), леговані домішкою Ge. Електричними вимірюваннями в інтервалі температур 280-420 К встановлено, що діркова провідність кристалів контролюється глибокими компенсованими акцепторами, енергія іонізації яких (εА) збільшується з вмістом Mn(x) згідно зі співвідношенням εА=0,6(1+2х) еВ. При 300 К: ρ = (108-109) (Ом×см), RХ=(5×109-5×1010) см3/Кл; рухливість носіїв струму ~50 см2/(В×с).
URI:	http://hdl.handle.net/123456789/541
Appears in Collections:	Т.20, №2

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
3832-11481-1-PB.pdf		747.14 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record

DSpace JSPUI

DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets