Дослідження електронної структури напівпровідникового твердого розчину Zr1-xVxNiSn

Abstract

Досліджено особливості електронної та кристалічної структур напівпровідникового твердого розчину Zr1-xVxNiSn (х=0–0.10). Для прогнозування поведінки рівня Фермі εF, ширини забороненої зони εg та кінетичних характеристик Zr1-xVxNiSn розраховано розподіл густини електронних станів (DOS). За результатами розрахунків електронної структури та вимірювання електротранспортних властивостей напівпровідникового твердого розчину Zr1-xVxNiSn визначено механізм одночасного генерування структурних дефектів донорної та акцепторної природи. Встановлено, що у забороненій зоні Zr1-хVxNiSn з’являються енергетичні стани домішкових донорної та акцепторної зон (донорно-акцепторні пари), які визначають механізми електропровідності напівпровідника.