Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/535
Title: Дослідження електронної структури напівпровідникового твердого розчину Zr1-xVxNiSn
Other Titles: Investigation of Electronic Structure of Zr1-xVxNiSn Semiconductive Solid Solution
Authors: Стадник, Юрій Володимирович
Ромака, Віталій Володимирович
Ромака, Володимир Афанасійович
Горинь, Андрій Маркіянович
Ромака, Любов Петрівна
Крайовський, Володимир Ярославович
Романів, Іванна Михайлівна
Keywords: електропровідність
коефіцієнт термо-ерс
рівень Фермі
Issue Date: 2019
Citation: Стадник Ю. В. Дослідження електронної структури напівпровідникового твердого розчину Zr1-xVxNiSn / Ю. В. Стадник, В. В. Ромака, В. А. Ромака, А. М. Горинь , Л. П. Ромака, В .Я. Крайовський, І. М. Романів // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. -№2. - С. 127-132.
Abstract: Досліджено особливості електронної та кристалічної структур напівпровідникового твердого розчину Zr1-xVxNiSn (х=0–0.10). Для прогнозування поведінки рівня Фермі εF, ширини забороненої зони εg та кінетичних характеристик Zr1-xVxNiSn розраховано розподіл густини електронних станів (DOS). За результатами розрахунків електронної структури та вимірювання електротранспортних властивостей напівпровідникового твердого розчину Zr1-xVxNiSn визначено механізм одночасного генерування структурних дефектів донорної та акцепторної природи. Встановлено, що у забороненій зоні Zr1-хVxNiSn з’являються енергетичні стани домішкових донорної та акцепторної зон (донорно-акцепторні пари), які визначають механізми електропровідності напівпровідника.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/535
Appears in Collections:Т.20, №2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3792-11475-1-PB.pdf852 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.