DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/532| Title: | Specific Features of Photoconductivity of Tl1-xIn1-xSnxSe2 Monocrystals at Low Temperatures |
| Other Titles: | Особливості фотопровідність монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2 при низьких температурах |
| Authors: | Новосад, Олексій Володимирович Мирончук, Галина Леонідівна Данильчук, С. П. Замуруєва, Оксана Валеріївна Піскач, Людмила Василівна Кітик, Іван Васильович |
| Keywords: | монокристали дефекти фотопровідність термостимульована провідність |
| Issue Date: | 2019 |
| Citation: | Новосад О. В. Особливості фотопровідність монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2 при низьких температурах / О. В. Новосад, Г. Л. Мирончук, С. П. Данильчук, О. В. Замуруєва, Л. В. Піскач, І. В. Кітик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - №1. - С. 50-55. |
| Abstract: | Основні результати досліджень полягають у тому, що особливістю низькотемпературної фотопровідності монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2 є домішкова та індукавана фотопровідність, а також довготривалі процеси релаксації фотопровідності. Оцінене значення часу релаксації фотопровідності становило ~102-103 с. Термічна енергія активації електронів з t-рівнів у монокристалах Tl0,75In0,75Sn0,25Se2 становила 0,13 еВ та 0,28 еВ. Зменшення вмісту Sn в Tl1-xIn1-xSnxSe2 призводить до зменшення глибини залягання цих рівнів. У монокристалах Tl0,9In0,9Sn0,1Se2 існує три дефектні центри, які виконують роль t-рівнів прилипання у різних температурних інтервалах. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/532 |
| Appears in Collections: | Т.20, №1 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 3529-10729-1-PB.pdf | 875.47 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.