Дослідження структурних, кінетичних та енергетичних властивостей напівпровідникового твердого розчину Zr1-xVxNiSn

Abstract

Досліджено особливості структурних, кінетичних та енергетичних характеристик напівпровідникового твердого розчину Zr1-xVxNiSn (х = 0 – 0,10) в інтервалі температур 80 - 400 К. Показано, що уведення атомів V (rV = 0,134 нм) у структуру сполуки ZrNiSn шляхом заміщення Zr (rZr = 0,160 нм) супроводжується неочікуваним збільшенням значень періоду елементарної комірки а(х)Zr1-xVxNiSn, вказуючи на непрогнозовані структурні зміни. На основі аналізу швидкості руху рівня Фермі ΔεF/Δх Zr1-xVxNiSn у напрямі зони провідності зроблено висновок про одночасне генерування у кристалі структурних дефектів донорної та акцепторної природи (донорно-акцепторні пари) за невідомим механізмом, які породжують відповідні енергетичні рівні у забороненій зоні напівпровідника.