DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/4810| Назва: | Покращення досконалості кристалічної ґратки InP шляхом імплантації іонів Не+ та наступного відпалу |
| Інші назви: | Improvement of InP crystalline perfection by He+- implantation and subsequent annealing |
| Автори: | Терлецький, Андрій Іванович Tighinyanu, Ion Ursaki, Viaceslav |
| Ключові слова: | фосфід індію досконалість кристалічної ґратки Raman spectra |
| Дата публікації: | 1995 |
| Видавництво: | Solid State Communication |
| Бібліографічний опис: | Tiginyanu I. M. Improvement of InP crystalline perfection by He+- implantation and subsequent annealing // I. M. Tiginyanu, A. I. Terletsky, V. V. Ursaki // Solid State Commun. – 1995. – Vol. 96, No.10. – pp. 789-792. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/4810 |
| Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| tiginyanu.improvement_of_inp_crystalline.pdf | 353.18 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.