QUASICHEMICAL MODELLING OF DEFECT SUBSYSTEM OF TIN TELLURIDE CRYSTALS

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/4782

Назва:	QUASICHEMICAL MODELLING OF DEFECT SUBSYSTEM OF TIN TELLURIDE CRYSTALS
Інші назви:	Стаття
Автори:	Прокопів, Володимир Васильович Туровська, Лілія Вадимівна Горічок, Ігор Володимирович Никируй, Любомир Іванович
Ключові слова:	Tin Telluride, Point Defects, Quasichemistry, Equilibrium Constants, Two-Temperature Annealing.
Дата публікації:	2016
Бібліографічний опис:	Chalcogenide Letters Vol. 13, No. 7, July 2016, p. 309 - 315
Серія/номер:	Chalcogenide Letters;Vol. 13, No. 7, July 2016, p. 309 - 315
Короткий огляд (реферат):	By the method of modelling with quasichemical reactions, formation of native atomic defects in tin telluride crystals has been described. Based on the analysis of electroneutrality condition, concentration dependences of charge carriers and point defects on the temperature and partial vapour pressure of tellurium have been found. The constants of corresponding reactions have been specified.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу):	http://hdl.handle.net/123456789/4782
Розташовується у зібраннях:	Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:

Файл	Опис	Розмір	Формат
309_ProkopivV.pdf		714.36 kB	Adobe PDF	Переглянути/Відкрити

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

DSpace JSPUI