Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/4777
Назва: THERMOELECTRIC PROPERTIES OF BISMUTH-DOPED TIN TELLURIDE SnTe:Bi
Інші назви: Стаття
Автори: Фреїк, Дмитро Михайлович
Мудрий, Степан Іванович
Прокопів, Володимир Васильович
Горічок, Ігор Володимирович
Матківський, Остап Миколайович
Арсенюк, Інна Олександрівна
Криницький, Олександр Степанович
Бойчук, Володимира Михайлівна
Ключові слова: tin telluride, doping, thermoelectric properties
Дата публікації: 2016
Бібліографічний опис: Ukr. J. Phys. 2016. Vol. 61, No. 2
Серія/номер: Український фізичний журнал.;2016. Vol. 61, No. 2
Короткий огляд (реферат): X-ray researches are carries out, and the thermoelectric coefficient 𝛼 and the specific conductivity 𝜎 are measured for tin telluride specimens doped with bismuth to concentrations of 0–2.0 at.% Bi. Non-monotonic dependences of the unit cell parameter and the electrical parameters on the Bi impurity content are demonstrated. The introduction of bismuth to 1.0 at.% is found to favor an increase in the thermoelectric power 𝛼2𝜎 in SnTe at temperatures 𝑇 > 500 K as a result of the thermoelectric coefficient growth.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/4777
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Ukjourph_2016_61_2_11 (2).pdf593.47 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.