THERMOELECTRIC PROPERTIES OF BISMUTH-DOPED TIN TELLURIDE SnTe:Bi

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/4777

Title:	THERMOELECTRIC PROPERTIES OF BISMUTH-DOPED TIN TELLURIDE SnTe:Bi
Other Titles:	Стаття
Authors:	Фреїк, Дмитро Михайлович Мудрий, Степан Іванович Прокопів, Володимир Васильович Горічок, Ігор Володимирович Матківський, Остап Миколайович Арсенюк, Інна Олександрівна Криницький, Олександр Степанович Бойчук, Володимира Михайлівна
Keywords:	tin telluride, doping, thermoelectric properties
Issue Date:	2016
Citation:	Ukr. J. Phys. 2016. Vol. 61, No. 2
Series/Report no.:	Український фізичний журнал.;2016. Vol. 61, No. 2
Abstract:	X-ray researches are carries out, and the thermoelectric coefficient 𝛼 and the specific conductivity 𝜎 are measured for tin telluride specimens doped with bismuth to concentrations of 0–2.0 at.% Bi. Non-monotonic dependences of the unit cell parameter and the electrical parameters on the Bi impurity content are demonstrated. The introduction of bismuth to 1.0 at.% is found to favor an increase in the thermoelectric power 𝛼2𝜎 in SnTe at temperatures 𝑇 > 500 K as a result of the thermoelectric coefficient growth.
URI:	http://hdl.handle.net/123456789/4777
Appears in Collections:	Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Ukjourph_2016_61_2_11 (2).pdf		593.47 kB	Adobe PDF	View/Open

DSpace JSPUI