Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/4436
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСалій, Ярослав Петрович-
dc.contributor.authorЧав'як, Іван Іванович-
dc.contributor.authorБиліна, Іван Степанович-
dc.contributor.authorФреїк, Дмитро Михайлович-
dc.date.accessioned2020-04-07T09:18:50Z-
dc.date.available2020-04-07T09:18:50Z-
dc.date.issued2014-11-29-
dc.identifier.citationстаттяuk_UA
dc.identifier.issn1729-4428-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/4436-
dc.descriptionСтаття з моїм аспірантомuk_UA
dc.description.abstractНаведено результати дослідження наноструктур на поверхні тонких плівок станум телуриду, оса- джених з парової фази на підкладках поліаміду методом відкритого випаровування у вакуумі. Комп’ютерний аналіз результатів атомно-силової мікроскопії виявив вплив технологічних факторів на особливості форм та поверхневої орієнтації наноострівців. Показано, що наноструктури різного ро- зміру є куполоподібними з малим відношенням їх висоти до латерального діаметру. Встановлено сла- бку залежність симетрії острівців від технологічних факторів осадження.uk_UA
dc.description.sponsorshipПрикарпатський національний університетuk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherЖУРНАЛ НАНО- ТА ЕЛЕКТРОННОЇ ФІЗИКИ JOURNAL OF NANO- AND ELECTRONIC PHYSICS Том 6 № 4, 04020(6cc) (2014) Vol. 6 No 4, 04020(6pp) (2014)uk_UA
dc.subjectСтанум телурид, Наноструктури, Парофазні технології, Атомно-силова мікроскопія, Процеси росту.uk_UA
dc.subjectTin telluride, Nanostructures, Vapor-phase technology, Atomic force microscopy, Growth processes.uk_UA
dc.titleТопологічні особливості парофазних наноструктур SnTe на поліамідіuk_UA
dc.title.alternativeTopological Features of the Vapor-Phase SnTe Nanostructures on Polyamideuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Топологічні особливості Са Ча Би Фр.pdf719.63 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.